未知物化學成分檢測

        未知物化學成分分析分析是指針對未知物進行成分分析的一種檢測方法，根據未知物的形態、未知物材料檢測深度及檢測面積等差異而選用相應的儀器，對未知物成分進行分析，測定其中元素成分及含量，進而分析組成的一種分析方法。未知物成分分析的分析手段主要有以下幾種：

       1，掃描電鏡分析，其主要是通過掃描電子顯微鏡&X射線能譜SEM/EDS來分析表面異物的成分，其分析領域主要包括：表面微觀形貌觀察，微米級尺寸量測，微區成分分析，污染物分析。該方法的主要特點為能快速的對各種試樣的微區內Be~U的大部分元素進行定性、定量分析，分析時間短。具體的檢測標準包括JY/T 010-1996，GB/T 17359-2012。

        2.飛行時間二次離子質譜TOF-SIMS分析，其主要是通過飛行時間二次離子質譜TOF-SIMS對樣品進行成分分析，其應用的領域包括：有機材料和無機材料的表面微量分析，表面離子成像，深度剖面分析。該檢測方法的特點為：優異的摻雜劑和雜質檢測靈敏度可以檢測到ppm或更低的濃度，深度剖析具有良好的檢測限制和深度辨析率，小面積分析。依據的檢測標準主要為：ASTME1078-2009，ASTM E1504-2011，ASTM E1829-2009。

        3.動態二次離子質譜D-SIMS分析，該分析方法主要是通過動態二次離子質譜D-SIMS分析對樣品進行未知物分析，分析領域主要包括：產品表面微小的異物分析，氧化膜厚度分析；摻雜元素的含量測定。該檢測方法特點為：分析區域小，能分析≥10μm直徑的異物成分；分析深度淺，可測量≥1nm樣品；檢出限高，一般是ppm-ppb級別。檢測標準主要為：ASTM E1078-2009，ASTM E1504-2011，ASTM E1829-2009。

        4.俄歇電子能譜AES分析，該分析方法主要是通過俄歇電子能譜AES吃飯樣品進行成分分析，分析領域主要包括：缺陷分析，顆粒分析，深度剖面分析，薄膜成分分析。該方法特點為：可以作表面微區的分析，并且可以從熒光屏上直接獲得俄歇元素像。該檢測方法的依據標準為：GB/T 26533-2011。

        5.X射線光電子能譜XPS分析，該分析方法主要是通過X射線光電子能譜XPS對樣品進行成分，分析領域主要包括：有機材料、無機材料、污點、殘留物的表面分析，表面成分及化學狀態信息，深度剖面分析。該分析方法的特點為：分析層薄，分析元素廣，可以分析樣品表面1-12nm的元素和元素含量。檢測標準為：GB/T 30704-2014。